简介
产品
无线基础设施正在迅速铺展成由宏基站、城市基站、微基站和大规模MIMO AAS组成的异构网络。全球运营商已经在高达 6 GHz 的频段内部署了 4G 基站。这个迅速扩张的需求使得网络服务商需要寻找可靠且灵活的解决方案来支持他们实现这些复杂多样的需求。
三安集成是一家垂直整合的制造服务平台，持续扩大碳化硅、氮化镓以及砷化镓的产能以满足未来的市场需求。我们完整的产品组合旨在支持所有蜂窝标准和频段，进一步延展现有 4G 网络的系统能力，通过先进的碳化硅、氮化镓功率解决方案和砷化镓射频解决方案实现下一代 5G 网络。
人类社会每天都在对跨平台、系统和应用程序的连接提出更大的需求，而 5G 已准备好实现这个蓝图。为了充分发挥5G的性能，世界需要越来越先进的电子元件，承受工作温度更高、速度更快，配置更简化、重量更轻，以提供更长久的可靠性和卓越的能源效率。在这种需求的激励下，第三代半导体是三安集成提出的解决方案。
三安集成在GaAs p-HEMT工艺中考虑到广泛的应用领域，产品应用频率覆盖至Ka波段。产品种类多样化，满足多样性的市场需求。
0.15μm T-gate工艺采用可变成型电子束实现，具有良好的晶圆片内一致性以及丰沛的产能，同时具备往更小线宽延伸的能力。
LNA/Logic/RF Switch/PA
LNA/Logic/RF Switch/PA
三安集成在HBT工艺开发上提供不同应用领域产品以满足多样性的无线通信需求。
市场应用面上，也由手持式无线通信，沿伸至物联网需求应用下5G产品的技术领域开发。
4G+ / 5G NR HPUE / ET PA
3G/4G/Wi-Fi PA/Sub-6G/TX module,Gain Block
