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Compound Semiconductor
R&D,manufacturing and service provider
化合物半导体
研发制造与服务公司
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Compound Semiconductor R&D,manufacturing and service provider
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Compound Semiconductor R&D,manufacturing and service provider
微波射频
在微波射频领域,当前已推出具有国际竞争力的 GaAs HBT 、pHEMT等面向射频应用的先进制程工艺,已建成专业化、规模化的4吋、6吋化合物晶圆制造产线。
电力电子
效节能领域的演进推动了以宽禁带(Wide Band Gap)半导体材料(碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN))功率器件为代表的下一代电力转换技术的发展。相较于传统的硅基器件,宽禁带半导体器件可以工作在更高的电压及更高的温度下。
光通讯
在光通讯领域,已具备生产DFB、VCSEL、 PD APD 等数通产品的能力,并面向3D sensing,红外LiDAR等消费应用领域开发出高功率可见波段、红外波段VCSEL,及端面发光激光器(EEL)等应用产品。
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企业概况
企业愿景
大事记
企业概况
厦门市三安集成电路有限公司(简称“三安集成”)位于厦门市火炬(翔安)高新技术开发区内,项目总规划用地281 亩,总投资额30亿元。三安集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台;具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力,拥有大规模、先进制程能力的MOCVD 外延生长制造线。
/ 亩
/ 亿元
生产制造
三安集成拥有高可靠度制程技术与完整芯片代工制造服务经验,技术团队来自海内外高端专业人才,以最佳的制造效率,生产最具有国际竞争力的产品,并聚焦微波射频、电力电子、光通讯三大市场领域的高端技术发展,不断开发尖端制程技术与持续提升制程能力。
技术服务
微波射频
在微波射频领域,当前已推出具有国际竞争力的 GaAs HBT 、pHEMT等面向射频应用的先进制程工艺,已建成专业化、规模化的4吋、6吋化合物晶圆制造产线。
电力电子
在电力电子领域,现已推出高可靠性,高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
光通讯
在光通讯领域,已具备生产DFB、VCSEL、 PD APD 等数通产品的能力,并面向3D sensing,红外LiDAR等消费应用领域开发出高功率可见波段、红外波段VCSEL,及端面发光激光器(EEL)等应用产品。
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微波射频
02
电力电子
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光通讯