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为实现可持续能源社会提供更高效的电力转换技术
高效节能领域的演进推动了以宽禁带(Wide Band Gap)半导体材料(碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN))功率器件为代表的下一代电力转换技术的发展。宽禁带半导体器件可以工作在更高的电压及更高的温度下,可以操作在更高的开关频率,从而获得更低的开关损耗。以上优点可以使功率系统效率更高、体积更小、重量更轻、以及整体成本更低。宽禁带半导体方案正在各个应用领域引领着变革,其中包括消费类电子用电源适配器、数据中心、电动汽车(EV)、工业电机、无线充电和可再生能源采集等。
三安集成提供种类广泛的碳化硅肖特基二极管,覆盖多种电压和电流等级,并打造了垂直整合的产业链以保证交付能力和上市效率。
三安集成整合全球科研智慧和本地大规模量产经验进行碳化硅MOSFET技术研发,目前已经推出工业级1200V 80mΩ MOSFET量产平台。
凭借 20 多年的化合物半导体研发和制造经验,三安集成通过基础材料来推动化合物半导体技术革新。
以GaN为代表的宽禁带半导体电力电子器件将是迈向新型节能世界的关键。
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2022/09/07-2022/09/09深圳·深圳国际会展中心(宝安新馆)
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