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  • 先进技术研发工程师 砷化镓技术开发处 1 2016-10-24 - 2016-12-01 查看详情申请职位
    岗位职责 1、开发先进HBT元件工艺技术, 包含high ruggedness HBT及 high linearity HBT.
    2、开发先进pHEMT元件工艺技术, 包含ED-mode pHEMT、power pHMET及 pHEMT switch.
    薪资 面谈
    任职要求 1、本科及以上学历,电子、电机、物理、材料等专业
    2、半导体工艺技术或整合相关经验
    3、具芯片厂制程整合经验尤佳
    4、具有良好的团队合作精神及学历能力
  • Power先进技术开发研发工程师 氮化镓技术开发处 1 2016-10-24 - 2017-06-01 查看详情申请职位
    岗位职责 1、开发power GaN SBD 器件工艺技术, 包含超高电压超高电流器件布局设计,电场板设计,结构设计与器件特性分析等.
    2、开发power GaN HEMT 器件工艺技术, 包含超高电压超高电流D、E mode设计,电场板设计,结构设计与器件特性分析等.
    薪资 面谈
    任职要求 1、本科及以上学历,半导体器件设计与制作相关专业
    2、有GaN 功率器件设计与制作相关经验
  • 外延生长二部经/副理 氮化镓技术开发处 1 2016-10-24 - 2017-06-01 查看详情申请职位
    岗位职责 1、规划和制定GaN外延生长二部的工作计划、督促如期完成
    2、全面主持GaN外延生长二部日常工作
    薪资 面谈
    任职要求 1、机电一体化、应用电子等相关专业
    2、五年以上外延工作经验,三年以上管理岗位经验
    3、有卓越的领导能力,能够领导并激励员工,达成目标
    4、性格开朗、沉稳,具备优秀的社交能力,富有工作激情;
  • 制程工程师 芯片制造厂 1 2016-10-24 - 2017-06-01 查看详情申请职位
    岗位职责 1、维护制程生产线稳定
    2、分析和解决量产中发生的问题
    3、制程数据统计及分析,SPC管控,负责新进人员培训
    4、配合研发人员完成新实验、新产品的导入,并对工艺参数进行改善
    薪资 面谈
    任职要求 1、物理、化学、材料等理工相关专业
    2、2年以上半导体相关经验
    3、熟悉通用办公软件进行生产数据整理以形成报告
    4、良好的沟通及协调能力
    5、高度的积极性及责任心
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