三安集成专注的制程技术包含HBT和pHEMT两大类。已有超过十数种以上之制程技术进入量产，满足多样性的无线通信需求。三安集成仍将持续推出多样化的新技术来服务客户。
三安集成在GaAs p-HEMT工艺中考虑到广泛的应用领域，产品应用频率覆盖至Ka波段。产品种类多样化，满足多样性的市场需求。
0.15μm T-gate工艺采用可变成型电子束实现，具有良好的晶圆片内一致性以及丰沛的产能，同时具备往更小线宽延伸的能力。
LNA/Logic/RF Switch/PA
LNA/Logic/RF Switch/PA
Low noise amplifier & LNB
W bands power amplifier
三安集成在HBT工艺开发上提供不同应用领域产品以满足多样性的无线通信需求。
市场应用面上，也由手持式无线通信，沿伸至物联网需求应用下5G产品的技术领域开发。
4G+ / 5G NR HPUE / APT PA
4G+ / 5G NR HPUE / ET PA
3G/4G/Wi-Fi PA/Sub-6G/TX module,Gain Block
3G/4G/Wi-Fi PA/Sub-6G/TX module,Gain Block
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