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碳化硅衬底及外延

自有专利的优质碳化硅衬底和外延材料

简介

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   业界领先的灵活性和规模

    三安集成具备20多年化合物半导体材料的开发和制造经验,可提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的碳化硅 (SiC) 衬底和外延技术。

    三安集成提供在150mm n 型导电碳化硅衬底上生长 n 型和 p 型外延层,产能足以满足工业和汽车市场对碳化硅功率器件快速增长的需求。

    您将在最好和最具创新性的宽带隙材料的基础上,与三安集成电路合作

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