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智能电动出行

宽禁带功率器件让您的电动汽车能源系统领跑行业

耗电再低一度 续航再久一点

如今,电动汽车在城市道路上出现得越来越频繁,其电源系统中的车规级功率芯片在车用动力系统设计工程师心中也越来越重要。三安集成超前部署了宽禁带半导体产业链,以支持高压、大电流和高温系统设计,帮助工程师设计出市场中所需要的高效、低耗且具有竞争力的电动汽车。

三安集成发布的碳化硅MOSFET量产平台,持续支持电动汽车从硅基IGBT向碳化硅MOSFET架构的转型。电动汽车的电源系统可以突破硅基器件的温度和电压限制,而实现更快的开关速度和更高的功率密度,使用碳化硅MOSFET的动力系统更小、更轻、更高效,可以减少近80%的功率损耗,还可以将车辆的行驶距离延长10%,缓解车主的“续航焦虑”。

车载无线前传、信号功率放大器等。

车载雷达感测以及座舱内感测。

Why Sanan IC

可靠的产能保障

3座合计月产超过100,000片晶圆的制造工厂,为化合物半导体产业提供源源不断的产能助力。晶圆制程技术正在从150mm迈向200mm,进一步提升大规模制造下的成本效益。

产业链垂直整合模式

全面覆盖从晶体材料到器件封装的全产业链,以20年化合物半导体大规模制造经验服务客户,提供灵活多元的业务合作模式。

严格的品质管理

三安集成执行国际标准的质量管理体系,已通过IATF 16949体系认证,同时是JEDEC成员,产品已在客户端安全运转超过2000亿小时。

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