简介
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湖南三安常关型(eMode)、常开型(dMode)氮化镓器件技术具备低导通电阻、栅极电荷和电容,可实现高开关频率,减小无源器件尺寸并提高功率密度。 GaN 功率技术已广泛应用于消费类快速充电器,现在正在进入更多工业和汽车应用。
湖南三安为氮化镓设计公司提供两种代工服务选项:
- 客户自行设计版图在三安平台代工
- 客户参考三安标准设计版图在三安平台代工
Part Number
|
Product Status |
Type |
Qualification |
VDS(max) (V) |
ID (A) |
RDS(on)@Tj=25℃(mΩ) |
RDS(on)@Tj=150℃(mΩ) |
Tj (max)(℃) |
Package |
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SMG0650230S2 |
Evaluation | GaN HEMT Discrete | Customer | 650 | 7.5 | 230 | 550 | 150 | DFN5*6-8L |
SMG0650170S2 |
Evaluation | GaN HEMT Discrete | Customer | 650 | 10 | 170 | 400 | 150 | DFN8*8-8L |
SMG0650125S2 |
Evaluation | GaN HEMT Discrete | Customer | 650 | 15 | 100 | 240 | 150 | DFN8*8-8L |