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手持设备

手持设备的射频前端组件、光感测组件以及快充器件。

简介

产品

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手持设备的射频前端组件、光感测组件以及快充器件。

三安集成为 5G 互联世界做好了准备。我们的射频工程师和技术支持人员致力于为 5G 移动设备提供高品质的产品和服务。从关键的射频前端器件到高度集成的模块,三安集成的射频产品组合旨在帮助客户实现更快、更可靠的人、地、物连接的解决方案。

另外,三安集成的氮化镓快充解决方案以及砷化镓VCSEL人脸识别感测光芯片将为智能手持终端提供更强大的续航效率和人机互动体验。

5G大数据时代背景下,给智能手机等移动终端行业带来了前所未有的艰难挑战,而解决这些困难是我们工作的使命,我们期待与领先企业携手,共同推进5G手持设备解决方案的进步。

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产品

微波射频(1)

p-HEMT

三安集成在GaAs p-HEMT工艺中考虑到广泛的应用领域,产品应用频率覆盖至Ka波段。产品种类多样化,满足多样性的市场需求。
0.15μm T-gate工艺采用可变成型电子束实现,具有良好的晶圆片内一致性以及丰沛的产能,同时具备往更小线宽延伸的能力。

P25ED3x

LNA/Logic/RF Switch/PA

P25ED5x

LNA/Logic/RF Switch/PA

P15LN2x

Low noise amplifier & LNB

P10PA1x

W bands power amplifier

光技术(12)

料号
芯片类型
波长(nm)
速率(Gb/s)
光敏面(um)
产品形状
材质
主要应用

S-12ACPD08-G

MPD 1310/1550 NA 220*220 Singlet InGaAs/InP TOSA背光探测

S-16ACPD15-G

MPD 1310/1550 NA 300 Singlet InGaAs/InP TOSA背光探测

S-14AEPD01-G

Edge MPD 1310/1550 NA 200*200 Singlet InGaAs/InP TOSA背光探测

S-12AEPD08-G

Edge MPD 1310/1550 NA 200*200 Singlet InGaAs/InP TOSA背光探测

S-14BMPD08-G

PD 1310/1550 10~12G 45 Singlet InGaAs/InP 10G LR

S-14BCPD25-G

PD 1310/1550 25G 16 Singlet InGaAs/InP

S-15ACPD25-G

PD 1310/1550 25G 32 Singlet InGaAs/InP 25G LR

S-FL10S31-000

FP 1310 10G NA Single InGaAs/InP 4G前传

S-FL25S31-000

FP NA

S-DL10S27-000

DFB 1270nm 10G NA Single InGaAs/InP BIDI

S-DL10S33-000

DFB 1330nm 10G NA Single InGaAs/InP BIDI

S-DL10S27-C01

DFB CWDM6 10G NA Single InGaAs/InP CWDM

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