三安集成在GaAs p-HEMT工艺中考虑到广泛的应用领域，产品应用频率覆盖至Ka波段。产品种类多样化，满足多样性的市场需求。
0.15μm T-gate工艺采用可变成型电子束实现，具有良好的晶圆片内一致性以及丰沛的产能，同时具备往更小线宽延伸的能力。
LNA/Logic/RF Switch/PA
LNA/Logic/RF Switch/PA
Low noise amplifier & LNB
W bands power amplifier
三安集成在HBT工艺开发上提供不同应用领域产品以满足多样性的无线通信需求。
市场应用面上，也由手持式无线通信，沿伸至物联网需求应用下5G产品的技术领域开发。
4G+ / 5G NR HPUE / APT PA
4G+ / 5G NR HPUE / ET PA
3G/4G/Wi-Fi PA/Sub-6G/TX module,Gain Block
3G/4G/Wi-Fi PA/Sub-6G/TX module,Gain Block
三安集成的设计套件提供了完整的电路设计平台并支持现今主流电路仿真软件。其中包含了全面的组件与子电路模型、可调参数式组件形状变化、电磁仿真、电路验证以及方便的使用接口，使电路设计更加容易、快速。
三安集成MySAIC服务系统提供24小时在线实时更新制程规则验证进度，让全球客户不受时差影响。完整又快速的光罩服务加速了客户电路设计进入产品生产的时间。
三安集成提供探针卡制作与晶圆阶段电压电流的客制化测试服务。自制设计的探针卡可以有效降低测试服务成本，以降低后道封装的测试成本。
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