2024年上半年，全球5G基站部署总量达到594万台，部署速度已经不亚于4G LTE网络，中国市场在其中扮演了重要的角色。5G基站引入了大规模MIMO技术，采用32T32R 和 64T64R 的射频单元覆盖3-6GHz 的中频应用需求，使得用户在写字楼、体育场等人流密集的区域依然能享受到高速上下行的无线通信体验。
基于平均5-10W的单路功率，基站的射频前端系统通常工作在300 瓦及更高功率的场景下，对于射频器件的高频、高功率、散热特性都提出更严苛的要求，而宽禁带的化合物半导体例如氮化镓，用于制作射频芯片时，就能显示充分的优势。
实现从材料制备到器件封装的全产业链垂直整合，有利于产能、成本及质量验证的全方位管控。
持续深耕砷化镓射频前端代工工艺，滤波器器件和封装工艺。
具备大规模生产管理经验，发挥规模制造优势，加速客户产品迭代，推动高能效通信网络发展。
