人们追求在智能手机上享受越来越高效便捷的通信体验,推动了行业不断迭代手机射频前端架构设计,提供越来越强大的上传和下载能力。架构演进的主流方案,是采用更高集成度的功放模组(PAMiD),用尽量少的芯片去覆盖更多频段的通信需求。模组中关键的功率放大器(PA)芯片,往往会使用具备优越高频特性的砷化镓材料以支持如今上探到Sub-6 GHz等中高频段的通信需求。
三安以丰富的大规模制造和材料研发经验,开发6寸砷化镓HBT和pHEMT工艺平台,定制化开发外延,持续迭代工艺能力,进一步增强器件的高频特性,支持全球顶尖的射频前端设计公司创造性能更强的射频器件。