人们追求在智能手机上享受越来越高效便捷的通信体验，推动了行业不断迭代手机射频前端架构设计，提供越来越强大的上传和下载能力。架构演进的主流方案，是采用更高集成度的功放模组（PAMiD），用尽量少的芯片去覆盖更多频段的通信需求。模组中关键的功率放大器（PA）芯片，往往会使用具备优越高频特性的砷化镓材料以支持如今上探到Sub-6 GHz等中高频段的通信需求。
三安以丰富的大规模制造和材料研发经验，开发6寸砷化镓HBT和pHEMT工艺平台，定制化开发外延，持续迭代工艺能力，进一步增强器件的高频特性，支持全球顶尖的射频前端设计公司创造性能更强的射频器件。
2/3/4G PA, High Ruggedness
LTE-A / 5G HPUE PA, Wi-Fi / Satcom PA
5G-A / Wi-Fi 6e/7 PA, Superior Linearity
5G-A / Wi-Fi 6e/7 PA, Superior Ruggedness
LNA, Switches & ESD
LNA, Switches & Limiter
Flip-Chip with optimized parasitic parameter
For RLC passive design
i-layer 1.2µm for Switch and limiter
