通信制式和射频前端架构的演进，帮助智能终端即使在复杂场景或边远地区依然可以为用户提供高效便捷的无线通信体验。基于砷化镓的射频功放器件以其优异的功放效率和集成度，依然会是无线通信系统功放的主流选择。
三安基于砷化镓开发HBT和pHEMT工艺平台，针对蜂窝网络和基础设施中对于复杂场景下的无线通信需求，定制化开发砷化镓外延，以强化功放器件的功放效率和稳定性。公司从应用需求出发，结合先进的工艺性能，成熟的规模量产经验，和射频系统层面的专业认识，帮助客户应对复杂技术挑战。
Entry Level
InGaP HBT
2G TxM, 3/4G PA.
Entry Level
InGaP HBT
2G TxM, 3/4G PA, with High Ruggedness.
Eco. Level
InGaP DHBT
Wi-Fi PA, Low Beta. [75]
Eco. Level
InGaP DHBT
LTE-A / 5G HPUE PA, Wi-Fi PA, High Beta. [140]
Adv. Level
InGaP DHBT
5G-A / Wi-Fi 6e/7 PA, with Superior Ruggedness.
0.25um E + 0.5um D
LNA, Switches , ESD, WiFi & Base Station.
Flip-Chip with Optimized Parasitic Parameter and Heat Dissipation.
For RLC Passive Design.
High Q: 1+4+4.
Normal: 1+2+4.
i-layer 1.2µm for Switch and Limiter.
