全球5G蜂窝网络的部署推动通信基站从RRH向AAS转型，增加基站的射频链路数量以支持覆盖范围内更多用户的通畅体验。基于碳化硅的氮化镓（GaN-on-SiC）射频功放器件具备在高频率下的高能效和热导率特性，被广泛应用于5G网络进阶的128T128R AAS部署以及6G网络下的FR3频段部署。
三安基于氮化镓开发HEMT工艺平台，工艺节点下探至0.12μm，具备优异的工艺成熟度和国内稀缺的4寸碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）晶圆量产能力，专注民用基站大规模多发多收（Massive MIMO）应用场景的功放需求，帮助客户快速部署基础网络，加速无线通信体验的迭代。
DC-5GHz, for 4/5G BTS, CATV.
DC-6GHz, 6-18 GHz, for 5G BTS.
